Forschung

Molekularstrahlepitaxie von Gruppe III Nitriden:

• optoelektronische Anwendung
• elektronische Anwendung

Strukturierung:

• Metallaufdampfanlage (Kontakte)
• Spiegelherstellung
• Photolithographie
• e-beam Lithographie

Charakterisierungsmethoden:

• Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
• Elektronenbeugung (in-situ RHEED)
• AFM und STM
• PL und CL
• Hall-Effekt
• IV und CV

Forschungsprojekte:

  laufende Projekte:

• FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen (DFG)
• Defect complexes in GaN - Prepartion, characterisation and ab initio modelling (DFG)
• Single photon sources with group III - nitrides (DFG-GK, Project B1)

  abgeschlossene Projekte: